ZMJSEMI SHV Series 3300V SiC MOSFETs Enter Mass Production and Delivery!

真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含：RobustFET^TM SpeedFET^TM和BPFET^TM三大系列，击穿电压涵盖-100V~300V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高、低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，300多款车规产品，主要应用于热管理、传统动力系统、底盘、电动化、车身电子、网联化和智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。

真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。主打产品为SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~4000V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。

真茂佳有IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵650V~1200V，其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。

真茂佳IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。